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力晶积成电子申请半导体结构专利,半导体结构专利技术优化元件连接

0次浏览     发布时间:2025-04-19 12:20:00    

来源:金融界网站

金融界2025年4月19日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利,公开号CN119812155A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本发明公开一种半导体结构,包括堆叠设置的多个元件结构。多个元件结构包括多个基底与多个基底穿孔。多个基底穿孔位于多个基底中。多个基底穿孔包括多个第一基底穿孔。每个元件结构包括对应的基底与对应的第一基底穿孔。每个第一基底穿孔贯穿对应的基底。最末端的元件结构中的基底穿孔的数量小于另一个元件结构中的基底穿孔的数量。最末端的元件结构中的第一基底穿孔与另一个元件结构中的第一基底穿孔彼此对准且彼此电连接。

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