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  • 力晶积成电子申请半导体结构专利，半导体结构专利技术优化元件连接 2025-04-19 12:20:00

    来源：金融界网站金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN119812155A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构，包括堆叠设置的多个元件结构。多个元件结构包括多个基底与多个基底穿孔

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